產(chǎn)品資料
日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
產(chǎn)品名稱: 日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
產(chǎn)品型號: PVE-80
產(chǎn)品特點: 日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統(tǒng)，因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。
日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計 的詳細介紹
日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
節(jié)省空間的設計主體外殼，便攜式可移動平臺
通過PC（軟件）進行簡單的測量操作，數(shù)據(jù)存儲和管理
測量顯示單元可以根據(jù)應用（薄層電阻，電導率，電導率）進行更改
*本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（篆隸號5386394）。
測量規(guī)格
測量目標
與新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
與化合物半導體相關（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢）請給我）
測量尺寸
?A4尺寸（W300 x D210mm）
測量范圍
50μ?1mΩ/平方
節(jié)省空間的設計主體外殼，便攜式可移動平臺
通過PC（軟件）進行簡單的測量操作，數(shù)據(jù)存儲和管理
測量顯示單元可以根據(jù)應用（薄層電阻，電導率，電導率）進行更改
*本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（篆隸號5386394）。
測量規(guī)格
測量目標
與新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
與化合物半導體相關（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢）請給我）
測量尺寸
?A4尺寸（W300 x D210mm）
測量范圍
50μ?1mΩ/平方
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地址：深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
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